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变磁阻式传感器的工作原理和结构

   2020-02-19 十二3020
核心提示:通常气隙磁阻远大于铁芯和衔铁的磁阻,线圈匝数为常数时,电感L仅仅是磁路中磁阻Rm的函数,只要改变δ或S0均可导致电感变化,因此,变磁阻式传感器又可分为气隙厚度δ的传感器和变气隙面积S0的传感器,使用最广泛的是变气隙厚度δ的电感传感器。

  变磁阻式传感器的结构:它由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。铁芯和衔铁由导磁材料(如硅钢片或坡莫合金)制成,在铁芯和衔铁之间由气隙,气隙厚度为δ,传感器的运动部分与衔铁相连。当衔铁移动时,气隙厚度δ发生改变,引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感值变化。因此,只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向。

  根据电感定义,线圈中电感量可由下式确定:

             L= Ψ/I=wΦ/I(9-1)

  式中:Ψ—线圈总磁链

        I—通过线圈的电流

        W—线圈的匝数

        Φ—穿过线圈的磁通

 由磁路欧姆定律,得 Φ=Iw/Rm 式中Rm为磁路总磁阻


对于变隙式传感器,因为气隙很小,所以可以认为气隙中的磁场是均匀的,若忽略磁路磁损,则磁路总磁阻为Rm=L1/u1S1+L2/u2S2+2δ/u0S09-3)

式中:u1——铁芯材料的磁导率

      u2——衔铁材料的磁导率

      L1——磁通通过铁芯的长度

      L2——磁通通过衔铁的长度

      S1——铁芯的截面积

      S2——衔铁的截面积

      U0——空气的磁导率

      S0——气隙的截面积

      δ ——气隙的厚度

通常气隙磁阻远大于铁芯和衔铁的磁阻,线圈匝数为常数时,电感L仅仅是磁路中磁阻Rm的函数,只要改变δ或S0均可导致电感变化,因此,变磁阻式传感器又可分为气隙厚度δ的传感器和变气隙面积S0的传感器,使用最广泛的是变气隙厚度δ的电感传感器。

变气隙厚度δ的传感器:这种传感器的灵敏度高,最常用的电感式传感器,其缺点是输出特性(L-δ关系曲线)是非线性的。

变气隙面积S0的传感器:这种传感器为线性特性,但是灵敏度较低,它通常用于角位移的测量中。

 
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